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MOSFET Infineon IPB120N08S403ATMA1, VDSS 80 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2144366
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IPB120N08S403ATMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Este MOSFET Infineon OptiMOS T2 está probado 100 % para avalancha y es conforme con RoHS.Tiene certificación AEC Q101
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
80 V
Tipo de Encapsulado:
D2PAK (TO-263)
Serie:
OptiMOS™ -T2
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,0025 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: 2144366, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IPB120N08S403ATMA1
Resumen de condiciones1
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Precio
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Precio válido a partir de 125 unidades
Pedidos sólo en múltiplos de 5 unidades
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€ 4,83
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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