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| N.º art.: 3318E-2144366 N.º fabricante: IPB120N08S403ATMA1 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Este MOSFET Infineon OptiMOS T2 está probado 100 % para avalancha y es conforme con RoHS.Tiene certificación AEC Q101 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 120 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 80 V | Tipo de Encapsulado: | D2PAK (TO-263) | Serie: | OptiMOS™ -T2 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,0025 Ω | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4V | Número de Elementos por Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2144366, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IPB120N08S403ATMA1 |
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