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| N.º art.: 3318E-2144377 N.º fabricante: IPD50N06S2L13ATMA2 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Este MOSFET Infineon OptiMOS proporciona alta capacidad de corriente y las pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para la máxima eficiencia térmica. Se ha probado una avalancha del 100 %.La carga de puerta total optimizada permite etapas de salida de controlador más pequeñas Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 50 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 55 V | Tipo de Encapsulado: | DPAK (TO-252) | Serie: | OptiMOS™ | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,0127 Ω | Tensión de umbral de puerta máxima: | 2V | Número de Elementos por Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2144377, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IPD50N06S2L13ATMA2 |
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