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MOSFET Infineon IPD530N15N3GATMA1, VDSS 150 V, ID 21 A, DPAK (TO-252) de 3 pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2144381
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IPD530N15N3GATMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 21 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V
Serie = OptiMOS™ 3
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0.053 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima = 4V
Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
21 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
150 V
Tipo de Encapsulado:
DPAK (TO-252)
Serie:
OptiMOS™ 3
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0.053 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: 2144381, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IPD530N15N3GATMA1
Resumen de condiciones1
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Precio
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Pedidos sólo en múltiplos de 15 unidades
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€ 0,98*
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€ 0,937*
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a partir de 750 unidades
€ 0,873*
€ 1,056
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