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| N.º art.: 3318E-2148791 N.º fabricante: FCH029N65S3-F155 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | on Semiconductor MOSFET es una nueva familia de MOSFET de unión de alta tensión de−−que utiliza tecnología de equilibrio de carga para ofrecer una resistencia de conexión baja excepcional y un rendimiento de carga de puerta inferior. Esta Advanced Technology está diseñada para minimizar la pérdida de conducción, proporciona un rendimiento de conmutación superior y resiste una velocidad dv/dt extrema.Sin plomo En conformidad con RoHS Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 75 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 650 V | Tipo de Encapsulado: | TO-247 | Serie: | FCH029N | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0.029 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4.5V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2148791, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, FCH029N65S3F155 |
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