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| N.º art.:
3318E-2148975 N.º fabricante:
BSC0502NSIATMA1 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| La gama Infineon de productos OptiMOS está disponible en encapsulados de alto rendimiento para hacer frente a las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.Diodo Schottky integrado monolítico Optimizado para convertidores reductores de alto rendimiento 100 % a prueba de avalancha Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 100 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 30 V | Tipo de Encapsulado: | SuperSO8 5 x 6 | Serie: | OptiMOS™ 5 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 8 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,0023 O | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 2V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
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