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| N.º art.: 3318E-2149029 N.º fabricante: IPD082N10N3GATMA1 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Los MOSFET Infineon 100V OptiMOS ofrecen soluciones superiores para SMPS de alta densidad de potencia y alta eficiencia. Comparada con la siguiente mejor tecnología, esta familia logra una reducción del 30 % tanto en R DS(on) como en FOM (factor de mérito). Ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona. Las aplicaciones potenciales incluyen amplificadores de audio de clase D, convertidores dc-dc aislados, etc.Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C. Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 80 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 100 V | Tipo de Encapsulado: | TO-252 | Serie: | OptiMOS™ 3 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,0082 O | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 3.5V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
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