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| N.º art.: 3318E-2152463 N.º fabricante: BSC054N04NSGATMA1 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 81 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Serie = OptiMOS™ Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0.0054 Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de umbral de puerta máxima = 4V Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 81 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 40 V | Tipo de Encapsulado: | SuperSO8 5 x 6 | Serie: | OptiMOS™ | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 8 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0.0054 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2152463, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, BSC054N04NSGATMA1 |
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