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| N.º art.:
3318E-2152473 N.º fabricante:
BSZ146N10LS5ATMA1 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| El nivel lógico de MOSFET de potencia OptiMOS™ 5 de Infineon es muy adecuado para aplicaciones de carga inalámbrica, adaptador y telecomunicaciones. La carga de puerta baja (Q g) de los dispositivos reduce las pérdidas de conmutación sin comprometer las pérdidas de conducción. Las cifras de mérito mejoradas permiten operaciones con altas frecuencias de conmutación. Además, el accionamiento de nivel lógico proporciona una tensión de umbral de puerta baja (V GS(the)) que permite accionar los MOSFET en 5V y directamente desde microcontroladores.R DS(on) bajo en encapsulado pequeño Carga de puerta baja Menor carga de salida Compatibilidad de nivel lógico Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 40 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 100 V | Tipo de Encapsulado: | PQFN 3 x 3 | Serie: | OptiMOS™ | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 8 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,0146 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 2.3V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
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