| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N.º art.: 3318E-2152590 N.º fabricante: IRF8910TRPBF EAN/GTIN: Sin datos |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 10 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Serie = HEXFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0.0134 Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de umbral de puerta máxima = 2.55V Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 10 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 20 V | Tipo de Encapsulado: | SO-8 | Serie: | HEXFET | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 8 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0.0134 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 2.55V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2152590, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IRF8910TRPBF |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |