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| N.º art.:
3318E-2152596 N.º fabricante:
IRFR120ZTRPBF EAN/GTIN:
Sin datos |
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| La serie HEXFET® Power MOSFET de Infineon utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado. Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.Tecnología de procesos avanzados Resistencia de encendido ultrabaja Conmutación rápida Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax Sin cables Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 8,7 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 100 V | Tipo de Encapsulado: | DPAK (TO-252) | Serie: | HEXFET | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0.19 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
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