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IGBT, IKB40N65EF5ATMA1, 74 A, 650 V, PG-TO263-3, 3-Pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2156651
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IKB40N65EF5ATMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
transistor de potencia
El transistor bipolar Infineon de puerta aislada de conmutación rápida de alta velocidad con corriente nominal completa Rapid 1 diodo antiparalelo suave y rápido.Eficiencia alta Pérdidas de conmutación bajas Mayor fiabilidad Baja interferencia electromagnética
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
74 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±20 V, ±30 V
Disipación de Potencia Máxima:
250 W
Tipo de Encapsulado:
PG-TO263-3
Conteo de Pines:
3
Otros conceptos de búsqueda: 2156651, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, IKB40N65EF5ATMA1
Resumen de condiciones1
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Precio
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a partir de 20 unidades
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€ 4,05
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a partir de 50 unidades
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a partir de 100 unidades
€ 2,911*
€ 3,522
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.