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IGBT, IKB40N65ES5ATMA1, 79 A, 650 V, PG-TO263-3, 3-Pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2156655
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IKB40N65ES5ATMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
transistor de potencia
El transistor bipolar de quinta generación de puerta aislada de la serie de conmutación de alta velocidad Infineon.Eficiencia alta Pérdidas de conmutación bajas Mayor fiabilidad Baja interferencia electromagnética
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
79 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±20 V, ±30 V
Disipación de Potencia Máxima:
230 W
Tipo de Encapsulado:
PG-TO263-3
Conteo de Pines:
3
Otros conceptos de búsqueda: 2156655, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, IKB40N65ES5ATMA1
Resumen de condiciones1
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Stock en almacén
Precio
€ 1,729*
  
Precio válido a partir de 2 unidades
Pedidos sólo en múltiplos de 2 unidades
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