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IGBT, IKD15N60RATMA1, 30 A, 600 V, PG-TO252-3, 3-Pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2156657
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IKD15N60RATMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
transistor de potencia
El transistor bipolar de Infineon con puerta aislada con diodo integrado en encapsulados que ofrece ahorro de espacio.Eficiencia alta Pérdidas de conmutación bajas Mayor fiabilidad Baja interferencia electromagnética
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
30 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±20V
Disipación de Potencia Máxima:
250 W
Tipo de Encapsulado:
PG-TO252-3
Conteo de Pines:
3
Otros conceptos de búsqueda: 2156657, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, IKD15N60RATMA1
Resumen de condiciones1
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Precio
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Pedidos sólo en múltiplos de 5 unidades
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