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MOSFET Taiwan Semiconductor TSM220NB06CR, VDSS 60 V, ID 35 A, PDFN56 de 8 pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2169702
Fabricante:
     Taiwan Semiconductor
N.º fabricante:
     TSM220NB06CR
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V
Serie = TSM025
Conteo de Pines = 8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 22 m.Ω
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 4V
Material del transistor = Silicio
Más información:
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
60 V
Tipo de Encapsulado:
PDFN56
Serie:
TSM025
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
22 m.Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Material del transistor:
Silicio
Otros conceptos de búsqueda: 2169702, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Taiwan Semiconductor, TSM220NB06CR
Resumen de condiciones1
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