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MOSFET Infineon IPB80N04S2H4ATMA2, VDSS 40 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2172510
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IPB80N04S2H4ATMA2
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V
Tipo de Encapsulado = D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 3,7 meses
Tensión de umbral de puerta máxima = 4V
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
40 V
Tipo de Encapsulado:
D2PAK (TO-263)
Serie:
CoolMOS™
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
3,7 meses
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Otros conceptos de búsqueda: 2172510, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IPB80N04S2H4ATMA2
Resumen de condiciones1
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€ 2,386*
€ 2,887
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