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| N.º art.:
3318E-2172514 N.º fabricante:
IPC100N04S52R8ATMA1 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| Infineon 40V, N-Ch, 2,8 MΩ máx., MOSFET de automoción, SS08 (5x6), OptiMOS™-5.OptiMOS™ - MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción Canal N - modo de mejora - nivel normal Certificación AEC Q101 MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C Temperatura de funcionamiento de 175 °C Producto ecológico (compatible con RoHS) Prueba de avalancha al 100 % Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 100 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 40 V | Tipo de Encapsulado: | SuperSO8 5 x 6 | Serie: | OptiMOS™ 5 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 8 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 2,8 meses | Tensión de umbral de puerta máxima: | 3.4V | Número de Elementos por Chip: | 1 |
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| Otros conceptos de búsqueda: 2172514, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IPC100N04S52R8ATMA1 |
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