| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N.º art.: 3318E-2172561 N.º fabricante: IPP60R210CFD7XKSA1 EAN/GTIN: Sin datos |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies.Diodo de cuerpo ultrarrápido Carga de puerta baja La mejor carga de recuperación inversa (Qrr) de su clase Diodo inverso de MOSFET DV/dt y dif/resistencia mejorados FOMRDS(on)*QG y RDS(on)*Eoss más bajos El mejor RDS(on) de su clase en encapsulados SMD y THD Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 12 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 600 V | Tipo de Encapsulado: | TO-220 | Serie: | CoolMOS™ 7 | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 210 mo | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4.5V | Número de Elementos por Chip: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2172561, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IPP60R210CFD7XKSA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |