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| N.º art.:
3318E-2172587 N.º fabricante:
IPW60R120P7XKSA1 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| El MOSFET Infineon CoolMOS™ P7 SuperJunction (SJ) 600V es el sucesor de la serie 600V CoolMOS™ P6. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor R onxA de su clase y la carga de puerta (Q G) inherentemente baja de la plataforma de generación CoolMOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.Resistencia ESD de ≥ 2kV (HBM clase 2) Resistencia de puerta R G integrada Diodo de cuerpo resistente Amplia gama de encapsulados de montaje en superficie y orificio pasante Hay disponibles piezas de grado estándar e industrial Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 29 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 600 V | Tipo de Encapsulado: | TO-247 | Serie: | CoolMOS™ P7 | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 120 mo | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4V | Número de Elementos por Chip: | 1 |
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| Otros conceptos de búsqueda: 2172587, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IPW60R120P7XKSA1 |
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