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| N.º art.: 3318E-2172609 N.º fabricante: IRFH5020TRPBF EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 34 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 200 V Serie = HEXFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 55 meses Tensión de umbral de puerta máxima = 5V Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 34 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 200 V | Tipo de Encapsulado: | SuperSO8 5 x 6 | Serie: | HEXFET | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 8 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 55 meses | Tensión de umbral de puerta máxima: | 5V | Número de Elementos por Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2172609, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IRFH5020TRPBF |
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