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| N.º art.: 3318E-2182979 N.º fabricante: BSC350N20NSFDATMA1 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | MOSFET Infineon OptiMOS™ de potencia de canal N. Estos dispositivos son la elección perfecta para aplicaciones de conmutación dura como telecomunicaciones, fuentes de alimentación industriales, amplificadores de audio de clase D, control de motor e inversor dc-ac. Es ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona.Canal N, nivel normal RDS(on) de resistencia de conexión muy baja Chapado de cable sin plomo Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 35 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 200 V | Tipo de Encapsulado: | TDSON | Serie: | OptiMOS™ 3 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 8 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0.035 Ω | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
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