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| N.º art.:
3318E-2182999 N.º fabricante:
IPA60R160P6XKSA1 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| El MOSFET Infineon de potencia de canal N CoolMOS™ 600V. La familia de MOSFET de superunión CoolMOS™ P6 está diseñada para permitir una mayor eficiencia del sistema al tiempo que es fácil de diseñar. Las pérdidas de conducción y conmutación extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, más compactas, más ligeras y más frías.Mayor resistencia de mosfet dv/dt Resistencia a conmutación muy alta Fácil de usar/conducir Chapado sin plomo, compuesto moldeado sin halógenos Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 23,8 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 600 V | Tipo de Encapsulado: | TO-220 FP | Serie: | CoolMOS™ P6 | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,16 Ω | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4.5V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
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