| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N.º art.: 3318E-2183027 N.º fabricante: IPB027N10N5ATMA1 EAN/GTIN: Sin datos |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 166 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = D2PAK (TO-263) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0.0027 Ω Tensión de umbral de puerta máxima = 3.8V Material del transistor = Si Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 166 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 100 V | Tipo de Encapsulado: | D2PAK (TO-263) | Serie: | OptiMOS™ 5 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0.0027 Ω | Tensión de umbral de puerta máxima: | 3.8V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2183027, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IPB027N10N5ATMA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |