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| N.º art.: 3318E-2183041 N.º fabricante: IPD135N08N3GATMA1 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 45 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Serie = OptiMOS™ 3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,0135 Ω Tensión de umbral de puerta máxima = 3.5V Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 45 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 80 V | Tipo de Encapsulado: | DPAK (TO-252) | Serie: | OptiMOS™ 3 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,0135 Ω | Tensión de umbral de puerta máxima: | 3.5V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2183041, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IPD135N08N3GATMA1 |
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