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MOSFET Infineon IPD50R1K4CEAUMA1, VDSS 500 V, ID 4,8 A, DPAK (TO-252) de 3 pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2183047
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IPD50R1K4CEAUMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 4,8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 500 V
Serie = CoolMOS™ CE
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 1.4 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima = 3.5V
Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
4,8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
500 V
Tipo de Encapsulado:
DPAK (TO-252)
Serie:
CoolMOS™ CE
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
1.4 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima:
3.5V
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
Si
Otros conceptos de búsqueda: 2183047, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IPD50R1K4CEAUMA1
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
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Precio
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a partir de 250 unidades
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€ 0,397
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a partir de 500 unidades
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a partir de 1250 unidades
€ 0,284*
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