|  |
| |
| N.º art.:
3318E-2183073 N.º fabricante:
IPP80R1K2P7XKSA1 EAN/GTIN:
Sin datos |
| |
|
| | |
| MOSFET Infineon de potencia de canal N serie 800V CoolMOS™ P7. La serie P7 CoolMOS™ 800V de MOSFET de superunión es perfecta para aplicaciones SMPS de baja potencia al satisfacer completamente las necesidades del mercado en rendimiento, facilidad de uso y relación precio/rendimiento. Se centra principalmente en aplicaciones de retorno, incluidos adaptador y cargador, controlador de LED, SMPS de audio, AUX y alimentación industrial.El mejor DPAK RDS(on) de su clase El mejor V(GS)th de su clase de 3V y la variación V(GS)th más pequeña de ±0,5 V. Protección ESD de diodo Zener integrada Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 4,5 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 800 V | Tipo de Encapsulado: | TO-220 | Serie: | CoolMOS™ P7 | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 1.2 Ω | Tensión de umbral de puerta máxima: | 3.5V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
|
| | |
| | | |
| | | |
| |