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MOSFET Infineon IRF100P218XKMA1, VDSS 100 V, ID 483 A., TO-247 de 3 pines


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2183093
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IRF100P218XKMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET Infineon de potencia de canal N de 100 V. Este MOSFET es ideal para aplicaciones de frecuencia de conmutación alta.Muy bajo nivel de RDS(on) Excelente carga de puerta x RDS(on) (FOM) Qrr. Optimizado Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
483 A.
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
100 V
Tipo de Encapsulado:
TO-247
Serie:
StrongIRFET
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,00128 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
3.8V
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
Si
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 2183093, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IRF100P218XKMA1
Resumen de condiciones1
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Neto
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a partir de 5 envases
€ 122,05*
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