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| N.º art.: 3318E-2183097 N.º fabricante: IRF6215STRLPBF EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | MOSFET Infineon serie IRF de potencia de canal P sencillo. Este MOSFET utiliza Advanced Processing Techniques para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Es adecuado para aplicaciones de alta corriente.Conmutación rápida Canal P. Temperatura de funcionamiento de 175 °C Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | P | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 13 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 150 V | Tipo de Encapsulado: | D2PAK (TO-263) | Serie: | HEXFET | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,29 Ω | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
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