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| N.º art.: 3318E-2183102 N.º fabricante: IRF6775MTRPBF EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 28 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Serie = HEXFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0.056 Ω Tensión de umbral de puerta máxima = 5V Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 28 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 150 V | Tipo de Encapsulado: | DirectFET ISOMETRIC | Serie: | HEXFET | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0.056 Ω | Tensión de umbral de puerta máxima: | 5V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2183102, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IRF6775MTRPBF |
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