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MOSFET Infineon IRFR3410TRLPBF, VDSS 100 V, ID 31 A, DPAK (TO-252) de 3 pines


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2183105
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IRFR3410TRLPBF
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
MOSFET Infineon de potencia de canal N sencillo serie HEXFET integrado con encapsulado tipo DPAK (TO-252). Este MOSFET se utiliza principalmente en convertidores dc-dc de alta frecuencia.Compatible con RoHS Temperatura de funcionamiento de 175 °C Conmutación rápida
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
31 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
100 V
Tipo de Encapsulado:
DPAK (TO-252)
Serie:
HEXFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
31 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
Si
Otros conceptos de búsqueda: Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, mosfet de potencia, 2183105, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IRFR3410TRLPBF
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