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MOSFET Infineon IRFS3307ZTRRPBF, VDSS 75 V, ID 128 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2183118
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IRFS3307ZTRRPBF
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
El Infineon HEXFET serie de MOSFET de potencia de canal N sencillo integrado con encapsulado de tipo D2PAK (TO-263).Capacitancia completamente caracterizada y SOA de avalancha Diodo de cuerpo DV/dt y capacidad di/dt mejorados
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
128 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
75 V
Tipo de Encapsulado:
D2PAK (TO-263)
Serie:
HEXFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0.0058 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
Si
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 2183118, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IRFS3307ZTRRPBF
Resumen de condiciones1
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€ 1,75*
€ 2,12
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