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| N.º art.: 3318E-2184819 N.º fabricante: RF3L05150CB4 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 2,5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 90 V Serie = RF3L05150CB4 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 1 Ω Tensión de umbral de puerta máxima = 2.5V Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 2,5 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 90 V | Tipo de Encapsulado: | LBB | Serie: | RF3L05150CB4 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 5 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 1 Ω | Tensión de umbral de puerta máxima: | 2.5V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2184819, Semiconductores, Semiconductores Discretos, STMicroelectronics, RF3L05150CB4 |
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