N.º art.: 3318E-2194327
N.º fabricante: BUK98150-55A/CUF
EAN/GTIN: Sin datos
Transistor de efecto campo de modo de mejora de canal N de nivel lógico Nexperia BUK98150-55A/CUF (FET) en un encapsulado de plástico usando tecnología TrenchMOSBajas pérdidas de conducción gracias a la baja resistencia en funcionamiento Compatible con Q101
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
5,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
55 V
Tipo de Encapsulado:
SOT-223
Serie:
BUK98150
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,161 O
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
2V
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
Plástico
Otros conceptos de búsqueda: MOSFET ,
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Transistor SMD ,
Transistores SMD ,
Transistores ,
Transistor ,
transistor de efecto de campo ,
2194327 ,
Semiconductores ,
Semiconductores Discretos ,
Nexperia ,
BUK9815055ACUF
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