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| N.º art.: 3318E-2207340 N.º fabricante: AUIRF1404STRL EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | La Infineon AUIRF1404STRL está diseñada específicamente para aplicaciones de automoción, esta línea. Tiene un diseño planar de MOSFET de potencia HEXFET que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr baja resistencia de conexión por área de silicio. Este beneficio combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo robusto por los que se conoce a los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.Tecnología planar Advanced Clasificación DV/DT dinámica Temperatura de funcionamiento de 175 °C Conmutación rápida Avalancha total nominal Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax Sin plomo, de conformidad con RoHS Homologado para automoción Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 162 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 40 V | Tipo de Encapsulado: | D2PAK (TO-263) | Serie: | HEXFET | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,004 O | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4V | Número de Elementos por Chip: | 2 | Material del transistor: | Si |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: MOSFET de potencia, Transistor de potencia, Transistores de potencia, MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, Diodo SMD, Diodos SMD, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, diodo smd, 2207340, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, AUIRF1404STRL |
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