Transistor MOSFET & Diodo Infineon BSC061N08NS5ATMA1, VDSS 80 V, ID 82 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines, 2elementos

Los MOSFET de potencia de canal N OptiMOS de Infineon se han desarrollado para aumentar la eficiencia, la densidad de potencia y la rentabilidad. Diseñados para aplicaciones de alto rendimiento y optimizados para alta frecuencia de conmutación, los productos OptiMOS convencen con la mejor figura de mérito del sector. La gama de MOSFET de potencia OptiMOS, ahora complementada con un potente IRFET, crea una combinación realmente potente. Benefíciese de una combinación perfecta de resistencia y excelente precio/rendimiento de MOSFET IRFET potentes y la mejor tecnología de su clase de MOSFET OptiMOS. Ambas familias de productos responden a los más altos estándares de calidad y a las demandas de rendimiento. La cartera conjunta, que abarca tensiones de MOSFET de 12V a 300V, puede satisfacer una amplia gama de necesidades de frecuencias de conmutación bajas a altas como SMPS, aplicaciones de alimentación por batería, control de motor y controladores, inversores e informática.Optimizado para SMPS de alto rendimiento, por ejemplo, SYNC.rec. 100% avalancha Resistencia térmica superior Canal N. QualifiedaccordingtoJEDEC1) para aplicaciones de destino Chapado de cable sin plomo En conformidad con RoHS Halógeno-freeaccordingtoIEC61249-2-21