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| N.º art.:
3318E-2207409 N.º fabricante:
IPD65R190C7ATMA1 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| La serie Infineon Cool MOS C7 de MOSFET de súper unión es un paso adelante revolucionario en tecnología, que proporciona el RDS(on)/encapsulado más bajo del mundo y, gracias a sus bajas pérdidas de conmutación, mejoras de eficiencia en el rango de carga completa.Tensión 650V El mejor R DS(on)/paquete revolucionario de su clase Energía reducida almacenada en capacitancia de salida (Eoss) Bajar QG de carga de compuerta Ahorro de espacio mediante el uso de encapsulados más pequeños o la reducción de piezas 12 años de experiencia en fabricación en tecnología de súper unión Margen de seguridad mejorado y adecuado para SMPS y solar aplicaciones de inversor Pérdidas de conducción/encapsulado más bajas Pérdidas de conmutación bajas Mejor eficiencia de carga ligera Aumento de la densidad de potencia Excelente calidad Cool MOS™ Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 49 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 700 V | Tipo de Encapsulado: | TO-252 | Serie: | CoolMOS™ C7 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,9 O | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4V | Número de Elementos por Chip: | 1 |
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