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| N.º art.:
3318E-2207429 N.º fabricante:
IPL60R065P7AUMA1 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| El MOSFET Infineon 600V Cool MOS P7 Super Junction (SJ) es el sucesor de la serie 600V Cool MOS P6. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor R onxA de su clase y la carga de puerta (Q G) inherentemente baja de la plataforma de generación Cool MOS 7th garantizan su alta eficiencia.El 600V P7 permite un excelente FOM RDS(on)xEoss y RDS(on)xQG Resistencia ESD de ≥ 2kV (HBM clase 2) Resistencia de puerta integrada RG Diodo de cuerpo resistente Amplia gama de encapsulados de montaje en superficie y orificio pasante Hay disponibles piezas de grado estándar e industrial Los excelentes FOMs RDS(on) xQG / RDS(on) xEoss permiten una mayor eficiencia Facilidad de uso en entornos de fabricación al detener fallos de ESD RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET El MOSFET es adecuado para topologías de conmutación dura y resonante Como PFC y LLC Excelente resistencia durante la conmutación dura del diodo del cuerpo visto En topología LLC Adecuado para una amplia variedad de aplicaciones finales y salida poderes Piezas disponibles adecuadas para aplicaciones industriales y de consumo Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 151 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 650 V | Tipo de Encapsulado: | ThinkPAK 8 x 8 | Serie: | CoolMOS™ P7 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 5 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,065 O | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 30V | Número de Elementos por Chip: | 1 |
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