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| N.º art.: 3318E-2207445 N.º fabricante: IPSA70R2K0P7SAKMA1 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Infineon Cool MOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La última Cool MOS P7 es una plataforma optimizada diseñada para aplicaciones sensibles a costes en el mercado de consumo como cargador, adaptador, iluminación, TV, etc. la nueva serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET de súper unión de conmutación rápida, combinado con una excelente relación precio/rendimiento y un nivel de facilidad de uso de art. La tecnología cumple los más altos estándares de eficiencia y es compatible con alta densidad de potencia, lo que permite a los clientes ir hacia diseños muy compactos.Pérdidas extremadamente bajas debido al bajo FOMRDS(on)*Qgand RDS(on)*Eoss Excelente comportamiento térmico Diodo de protección ESD integrado Pérdidas de conmutación bajas (Eoss) Validación del productoa cc.JEDEC Standard Tecnología de coste competitivo Temperatura más baja Alta es Drugedness Permite frecuencias de conmutación más altas de gainsat de eficiencia Enableshighpowerdensitydesignsandsmallformfactors Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 5,7 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 700 V | Tipo de Encapsulado: | IPAK (TO-251) | Serie: | CoolMOS™ P7 | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 2 O | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 3.5V | Número de Elementos por Chip: | 1 |
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