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| N.º art.: 3318E-2216696 N.º fabricante: NTBGS001N06C EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | El 60V de on Semiconductor de MOSFET de potencia utiliza 342A de corriente de drenaje con un canal N único de−. Tiene menos ruido de conmutación/EMI y minimiza las pérdidas de conducción.Baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción Baja capacitancia para minimizar las pérdidas de controlador Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 342 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 60 V | Tipo de Encapsulado: | TO-263-7 | Serie: | NTBGS | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 7 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0.0011 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
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