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| N.º art.: 3318E-2216712 N.º fabricante: NTH4LN095N65S3H EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = NTH4LN095N Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0.095 Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de umbral de puerta máxima = 4V Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 30 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 650 V | Tipo de Encapsulado: | TO-247-4 | Serie: | NTH4LN095N | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 4 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0.095 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2216712, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, NTH4LN095N65S3H |
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