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| N.º art.: 3318E-2222848 N.º fabricante: DMN66D0LDWQ-7 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | El MOSFET DiodesZetex de modo de mejora de canal N doble está diseñado para cumplir los exigentes requisitos de aplicaciones de automoción. Está calificado para AEC-Q101, y es compatible con PPAP.MOSFET doble de canal N Baja resistencia Baja tensión umbral de compuerta Baja capacitancia de entrada Velocidad de conmutación rápida Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 217 mA | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 60 V | Tipo de Encapsulado: | SOT-363 | Serie: | DMN | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 6 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 6 O | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 2V | Material del transistor: | Plástico |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2222848, Semiconductores, Semiconductores Discretos, DiodesZetex, DMN66D0LDWQ7 |
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