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| N.º art.:
3318E-2224618 N.º fabricante:
BSC037N08NS5ATMA1 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 131 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V
Tipo de Encapsulado = SuperSO8 5 x 6
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,0037 Ω
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 3.8V
Número de Elementos por Chip = 1 Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 131 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 80 V | Tipo de Encapsulado: | SuperSO8 5 x 6 | Serie: | OptiMOS™ 5 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 8 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,0037 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 3.8V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Silicio |
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| Otros conceptos de búsqueda: 2224618, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, BSC037N08NS5ATMA1 |
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