| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N.º art.: 3318E-2224660 N.º fabricante: IPB65R310CFDAATMA1 EAN/GTIN: Sin datos |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 11,4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Serie = CoolMOS™ Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,31 Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de umbral de puerta máxima = 4.5V Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 11,4 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 600 V | Tipo de Encapsulado: | TO 263 | Serie: | CoolMOS™ | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,31 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4.5V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Silicio |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2224660, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IPB65R310CFDAATMA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |