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MOSFET Infineon FF6MR12KM1BOSA1, VDSS 1.200 V, ID 250 A, AG-62MM


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2224795
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     FF6MR12KM1BOSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 250 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V
Serie = FF6MR
Tipo de Montaje = Montaje roscado
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 5.81 mΩ
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 3.45V
Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
250 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
1.200 V
Tipo de Encapsulado:
AG-62MM
Serie:
FF6MR
Tipo de Montaje:
Montaje roscado
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
5.81 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
3.45V
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: 2224795, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, FF6MR12KM1BOSA1
Resumen de condiciones1
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Stock en almacén
Precio
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