Diodo, IDW20G120C5BFKSA1, 20A, 1200V Schottky SiC, TO-247, 3-Pines, Schottky SiC

El encapsulado DE diodo Schottky Infineon CoolSiC™ de 5 1.200 V, 20 A en A TO-247-3 presenta una tecnología de vanguardia para diodos de barrera Schottky SiC. La tecnología de oblea fina, ya introducida con G2, se combina con una unión pn combinada que mejora las capacidades de transitorios de corriente de diodo. El resultado es una serie de productos que ofrecen una eficiencia líder del mercado y mayor fiabilidad del sistema a un atractivo punto de coste.La mejor tensión directa (VF) de su clase Sin carga de recuperación inversa Dependencia de la temperatura positiva leve de la FV La mejor capacidad de corriente de transitorios de su clase Excelente rendimiento térmico