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| N.º art.: 3318E-2224855 N.º fabricante: IMW120R060M1HXKSA1 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | El MOSFET Infineon CoolSiC™ de 1200 V, 60 mΩ SiC en encapsulado TO247-3 se ha construido sobre un proceso semiconductor Trench de vanguardia optimizado para combinar rendimiento y fiabilidad. En comparación con los interruptores basados en silicio (Si) tradicionales como IGBT y MOSFET, el MOSFET de SiC ofrece una serie de ventajas.Las mejores pérdidas de conducción y conmutación de su clase Tensión de umbral alto de referencia, Vth > 4 V. Tensión de puerta de desconexión 0V para accionamiento de puerta sencillo Amplio rango de tensión de fuente de puerta Diodo de cuerpo robusto y de baja pérdida con valor nominal para conmutación dura Pérdidas de conmutación de desconexión independientes de la temperatura Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 36 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 1.200 V | Tipo de Encapsulado: | TO-247 | Serie: | IMW1 | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 60 m.Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4.5V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet, 2224855, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IMW120R060M1HXKSA1 |
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