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| N.º art.:
3318E-2224900 N.º fabricante:
IPD50R800CEAUMA1 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 500 V
Tipo de Encapsulado = DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 800 m.Ω
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 3.5V
Material del transistor = Si Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 5 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 500 V | Tipo de Encapsulado: | DPAK (TO-252) | Serie: | CoolMOS™ | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 800 m.Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 3.5V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
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| Otros conceptos de búsqueda: 2224900, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IPD50R800CEAUMA1 |
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