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| N.º art.: 3318E-2224902 N.º fabricante: IPD60R180C7ATMA1 EAN/GTIN: Sin datos |
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| Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 13 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Serie = CoolMOS™ C7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 180 m.Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de umbral de puerta máxima = 4V Número de Elementos por Chip = 1 Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 13 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 600 V | Tipo de Encapsulado: | DPAK (TO-252) | Serie: | CoolMOS™ C7 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 180 m.Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
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| Otros conceptos de búsqueda: 2224902, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IPD60R180C7ATMA1 |
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