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| N.º art.:
3318E-2224920 N.º fabricante:
IPL65R195C7AUMA1 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V
Tipo de Encapsulado = ThinPAK 8 x 8
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 195 m.Ω
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 4V
Número de Elementos por Chip = 1 Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 12 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 650 V | Tipo de Encapsulado: | ThinPAK 8 x 8 | Serie: | CoolMOS™ C7 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 5 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 195 m.Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
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| Otros conceptos de búsqueda: 2224920, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IPL65R195C7AUMA1 |
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