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| N.º art.: 3318E-2224920 N.º fabricante: IPL65R195C7AUMA1 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 12 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = ThinPAK 8 x 8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 195 m.Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de umbral de puerta máxima = 4V Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 12 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 650 V | Tipo de Encapsulado: | ThinPAK 8 x 8 | Serie: | CoolMOS™ C7 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 5 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 195 m.Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2224920, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IPL65R195C7AUMA1 |
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