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| N.º art.: 3318E-2236215 N.º fabricante: R8009KNXC7G EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 9 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V Tipo de Encapsulado = TO-220FM Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,6 Ω Tensión de umbral de puerta máxima = 4.5V Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 9 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 800 V | Tipo de Encapsulado: | TO-220FM | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,6 Ω | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4.5V | Número de Elementos por Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2236215, Semiconductores, Semiconductores Discretos, ROHM, R8009KNXC7G |
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