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IGBT, IHW50N65R6XKSA1, 83 A, 650 V, PG-TO247-3, 3-Pines


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2250575
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IHW50N65R6XKSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Transistores
Transistor
transistor igbt
El Infineon IHW50N65R6 es el IGBT de 650 V, 50 A con diodo integrado monolíticamente en encapsulado TO-247 con diodo integrado monolíticamente diseñado para cumplir los requisitos exigentes de aplicaciones de calentamiento de inducción usando topología resonante de medio puente.Rango de frecuencia: 20-75 kHz EMI bajo Distribución de parámetros muy ajustada TJ de funcionamiento máximo de 175 °C.
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
83 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±20V
Disipación de Potencia Máxima:
251 W
Tipo de Encapsulado:
PG-TO247-3
Conteo de Pines:
3
Otros conceptos de búsqueda: 2250575, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, IHW50N65R6XKSA1
Resumen de condiciones1
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Precio
a partir de € 453,12*
  
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Neto
Bruto
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por envase
a partir de 2 envases
€ 453,12*
€ 548,275
por envase
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